体声波陀螺仪传感器引发惯性MEMS应用新变革?陀螺仪驱动开发

图2:由HARPSS工艺定义的体声波陀螺仪中电容性气隙SEM近景图片(SEM图像由Qualtr公司提供)。

从这个方程式中可以明显看出,旋转灵敏度会随着驱动模态位移振幅的增加而增加。然而,由于功率限制增加,大驱动振幅主要依靠器件整体刚度(即工作频率)的减小来实现。因此,市面上销售的陀螺仪工作频率都在5kHz~50kHz之间。但这样的工作频率不仅限制了MEMS振动陀螺仪对振动和冲击的耐受性能,同时还造成其模态匹配优势难以发挥。该优势指的是旋转灵敏度对机械品质因数的依赖程度,如下列在两个工作频率相同(DRV = SNS)的特殊情况下的方程式所示[1]:

图1a显示了一个在厚度为35m的绝缘体上硅(SOI)衬底上实现的、直径为600 m的声体波圆盘陀螺仪的SEM图像[1]。该器件利用一对简并面内“n=3”10MHz体声波模态,检测垂直于圆盘平面的旋转信号(如图1b所示)。

所有商用MEMS陀螺仪的基本原理均相同,即在旋转状态下同一结构的两个振动模态之间因科里奥利力发生的能量转移。指定旋转产生绝对加速度的基本运动学关系用于形成耦合微分方程,所得方程反过来又指定驱动振动模态和检测振动模态下的运动。对所得方程进行求解后,可以得到下述陀螺仪灵敏度(xSNS/)与工作频率(DRV、SNS)、Q值(Q)及驱动模态位移振幅(xDRV)之间的关系表达式。

体声波传感器设计的性能优势通过利用高深宽比多晶与单晶硅结合(HARPSS)制造工艺的多功能性和可扩展性得以实现。要求制造平台无需采用昂贵的纳米光刻技术,就体声波MEMS而言,HARPSS工艺能够形成几十微米厚且电容性气隙自对准的电隔离多晶与单晶硅微结构。这种高深宽比电容性气隙(如图2所示)显著提高了电容换能的效率,并且为振动硅微结构提供了有效的高频率基于MEMS的产品在演进过程中最重要的一方面,就是产品设计与生产设计之间的共生关系。实现体声波圆盘陀螺仪设计,即可将横向和垂向上的电容性气隙均缩减到亚微米范围!

为了获得接近20~50k的机械放大,现有的MEMS陀螺仪必须在高真空条件下工作,以消除空气阻尼的影响。要达到这样的真空水平通常会耗费较高的成本,而且还必须实施复杂的大功耗力反馈操作来解决开环带宽限制(SNS/ 2QSNS)问题。

刚度的增加使体声波陀螺仪在生产和现场运行过程中均不受静摩擦力的影响,从而消除了现有基于平移的振动音叉架构中关于良品率和可靠性一个重大问题。在更高的频率下工作可以进行高Q值模态匹配操作,从而实现出众的旋转灵敏度,同时无需大驱动位移振幅、高真空水平及力反馈架构。

(BAW)的新一代创新MEMS技术正为这些问题提供了解决方案。体声波技术正被用于开发一类全新的固态MEMS陀螺仪,其不仅能很好满足低功率、小尺寸、低成本及高产量等要求,同时还提高了产品的总体性能。

图1b:“n=3”面内简并BAW模态的可视化表示用于检测垂直于平面的旋转(图片由Qualtr公司提供)

针对目前普遍存在的局限性,佐治亚理工学院集成MEMS(GT-IMEMS)实验室基于圆盘简并体声波模态开发了一种全新的MEMS振动陀螺仪。BAW陀螺仪依赖两种简并BAW模态(工作频率一般在1MHz~10MHz范围内)之间的能量转移来运行。

体声波陀螺仪传感器引发惯性MEMS应用新变革?陀螺仪驱动开发

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